Effects of Ion Channeling and Co-implants on Ion Ranges and Damage in Si: Studies with PL, SRP, SIMS and MC models
Rattachement africain : jp, hu. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This study uses photoluminescence (PL) and other carrier-recombination sensitive probes in combination with spreading resistance profiling (SRP), SIMS and IMSIL MC-calculations to monitor the ion range and damage levels in highly-channeled and random beam orientation 7.5 MeV B and 10 MeV P and As profiles and various combinations of co-implants with 50 keV Phosphorus implants in Silicon(100). The effects of annealing on the 10 MeV profiles showed the strong shifts in PL data from implant damage in the as-implanted and annealed samples. Curious “intermittencies” were seen in the PL signals from MeV implant defect centers.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Effects of Ion Channeling and Co-implants on Ion Ranges and Damage in Si: Studies with PL, SRP, SIMS and MC models
- Date Crossref
- 08/06/2023
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Shikoku (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Shikoku Research Institute pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Semilab (Hungary) pays non établi dans la noticeEntreprise
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San Jose pays non établi dans la noticeInstitution
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SMIT pays non établi dans la noticeInstitution
Shikoku (Japan), Shikoku Research Institute et Semilab (Hungary), avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.