Fabrication of AlGaN/GaN heterostructures on halide vapor phase epitaxy AlN/SiC templates for high electron mobility transistor application
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Abstract GaN films were grown on hydride vapor phase epitaxy (HVPE) AlN/SiC templates by metalorganic CVD (MOCVD) without annealing the reactor to eliminate the memory effect. A step-terrace structure and smooth surface were obtained for the GaN film, which had a thickness of ∼200 nm. Subsequently, AlGaN/GaN heterostructures for application in high electron mobility transistors (HEMTs) with thin GaN channels were fabricated without a C- or Fe-doped GaN buffer layer. The interface quality at the AlGaN/GaN heterostructure was good enough for a two-dimensional electron gas to exhibit Shubnikov–de Haas oscillation in a magnetic field at 1.8 K. The GaN HEMTs with a thin channel on the AlN/SiC templates exhibited both a pinch-off character and conventional properties. In view of both the shorter epitaxial growth time and higher thermal conduction, HVPE AlN/SiC templates are applicable to the fabrication of GaN HEMTs by MOCVD.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Fabrication of AlGaN/GaN heterostructures on halide vapor phase epitaxy AlN/SiC templates for high electron mobility transistor application
- Date Crossref
- 01/08/2023
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
National Institute for Materials Science Next Generation Semiconductor Group pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Sumitomo Chemical (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Hitachi (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
University of Tsukuba pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Ltd. Sumitomo Chemical Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Faculty of Pure and Applied Science Division of Applied Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Next Generation Semiconductor Group — National Institute for Materials Science, Sumitomo Chemical (Japan) et Hitachi (Japan), avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.