Electric field effect of sliding graphene/hexagonal boron nitride heterobilayer
15Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Electric field effect of sliding graphene/hexagonal boron nitride heterobilayer
- Date Crossref
- 01/11/2023
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Shanghai University Materials Genome Institute pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Nanjing Foreign Language School pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
State Key Laboratory of Advanced Special Steel pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Xi'an Jiaotong University State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Shanghai World Foreign Language Academy pays non établi dans la noticeInstitution
Materials Genome Institute — Shanghai University, Nanjing Foreign Language School et State Key Laboratory of Advanced Special Steel, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Graphene research and applicationsQuantum and electron transport phenomena2D Materials and Applications