Self-limiting stoichiometry in SnSe thin films
Rattachement africain : us, de, tr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
was found to increase the lateral scale of the SnSe layers. Overall, self-limiting stoichiometry provides a promising avenue for maintaining growth of large lateral-scale SnSe for device fabrication.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Self-limiting stoichiometry in SnSe thin films
- Date Crossref
- 01/01/2023
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Pennsylvania State University Department of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Paul Drude Institute for Solid State Electronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Forschungsverbund Berlin pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Karamanoğlu Mehmetbey University Physics Department pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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The School of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Paul-Drude Institut für Festkörperelektronik Berlin pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Georgia Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering — Pennsylvania State University et Paul Drude Institute for Solid State Electronics, avec 4 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.