Fab-to-fab and run-to-run variability in 130 nm and 65 nm CMOS technologies exposed to ultra-high TID
Rattachement africain : ch. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Abstract The discovery of a large fab-to-fab variability in the TID response of the CMOS technologies used in the design of ASICs for the particle detectors of the HL-LHC triggered a monitoring effort to verify the consistency of the CMOS production process over time. As of 2014, 22 chips from 3 different fabs in 130 nm CMOS technology and 11 chips from 2 different fabs in 65 nm CMOS technology have been irradiated to ultra-high doses, ranging from 100 Mrad(SiO 2 ) to 1 Grad(SiO 2 ). This unprecedented monitoring effort revealed significant fab-to-fab and run-to-run variability, both dependent on the characteristics of the MOS transistors.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Fab-to-fab and run-to-run variability in 130 nm and 65 nm CMOS technologies exposed to ultra-high TID
- Date Crossref
- 01/01/2023
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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École Polytechnique Fédérale de Lausanne pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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European Organization for Nuclear Research pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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CERN 1211 Geneva 23 pays non établi dans la noticeInstitution
École Polytechnique Fédérale de Lausanne, European Organization for Nuclear Research et CERN 1211 Geneva 23.
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