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2022 conference-paper

Improved Drain-source Voltage Detection Method for Short-circuit Protection of SiC MOSFET

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Rattachement africain : cn, dk. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

The importance of short-circuit protection in the driving scheme is self-evident, and the key is the realization of fast and accurate short-circuit fault detection. The traditional drain-source voltage$(V_{\text{ds}})$short-circuit detection method sacrifices the speed to ensure the reliability of short-circuit protection by setting a relatively large blanking time constant. However, the shorter short-circuit withstand time of SiC MOSFET puts forward a higher requirement of short-circuit protection. Therefore, the improved$V_{\text{ds}}$short-circuit detection method proposed in this article enhances the self-adaptation to different short-circuit faults of SiC MOSFET, as a result speeding up the protection speed.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Improved Drain-source Voltage Detection Method for Short-circuit Protection of SiC MOSFET
Date Crossref
24/08/2022
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • China University of Mining and Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Aalborg University Center of Reliable Power Electronics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Electrical Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

China University of Mining and Technology, Center of Reliable Power Electronics — Aalborg University et School of Electrical Engineering.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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