Improved Light Output Power of GaN-based LEDs by Enhancing Current Injection and Spreading - Invited
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Le résumé fourni par la source
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Improved Light Output Power of GaN-based LEDs by Enhancing Current Injection and Spreading - Invited
- Date Crossref
- 01/05/2009
- Éditeur
- The Electrochemical Society
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Korea Innotech (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Atlanta Technical College pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Korea University Materials Science & Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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LG Innotek pays non établi dans la noticeInstitution
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Georgia Tech pays non établi dans la noticeInstitution
Korea Innotech (South Korea), Georgia Institute of Technology et Atlanta Technical College, avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
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