AC TDDB Analysis for HK/IL Gate Stack Breakdown and Frequency-dependent Oxygen Vacancy Trap Generation in Advanced nodes FinFET Devices by SILC Spectrum Methodology
Rattachement africain : tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Be closer to real product operation, DC TDDB stress convert to AC TDDB could be one choice to wrestle with advanced node shrink limitation. The physical explanation of AC TDDB improvement is successfully interpreted through the analysis of oxide trap generation with HK/IL gate stack in advanced node FinFET technology using SILC spectrum methodology. It is found that AC TDDB improvement is due to more charge de-trap. NMOS show less shallow and deep electron trap generation on HK and PMOS show less hole trap generation on IL during AC waveform transition.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- AC TDDB Analysis for HK/IL Gate Stack Breakdown and Frequency-dependent Oxygen Vacancy Trap Generation in Advanced nodes FinFET Devices by SILC Spectrum Methodology
- Date Crossref
- 01/03/2022
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) pays non établi dans la noticeEntreprise
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan).
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