Low‐Thermal‐Budget Fluorite‐Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications
Rattachement africain : us, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In article number 2100028, Jiyoung Kim, Si Joon Kim, and co-workers comprehensively review the various factors such as doping effects, deposition method, annealing method and conditions, and substrate material for obtaining fluorite-structure ferroelectrics with low-thermal-budget processes (400 °C or less). These low-thermal-budget processes facilitate not only the integration of ferroelectric circuits in the back-end-of-line, but also the applications to flexible and wearable electronics.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low‐Thermal‐Budget Fluorite‐Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications
- Date Crossref
- 01/05/2021
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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