2021 article

High thermal stability of doped oxide semiconductor for monolithic 3D integration

Hiroki Kawai, Junji Kataoka, Nobuyoshi Saito, Tomomasa Ueda, Takamitsu Ishihara, Keiji Ikeda

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Titre Crossref: High thermal stability of doped oxide semiconductor for monolithic 3D integration
Date Crossref: 01/11/2021
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
Type: journal-article

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KIOXIA Corporation (Japan) pays non établi dans la notice
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KIOXIA Corporation (Japan) et Institute of Memory Technology Research & Development.

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Les sujets associés

Thin-Film Transistor TechnologiesElectrical and Thermal Properties of MaterialsSilicon Nanostructures and Photoluminescence

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