2021article

Effect of additional N2O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method

Ayumu Shimizu, Akira Kitamoto, Masahiro Kamiyama, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

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Institutions

The University of Osaka Panasonic (Japan)Itochu (Japan)Mitsubishi Plastics (Japan)

Sujets associés

GaN-based semiconductor devices and materialsZnO doping and propertiesGa2O3 and related materials

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