Etch developments in response to DSA challenges
Rattachement africain : us, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Directed self-assembly (DSA) has emerged as one of the most promising, cost-effective paths to continue scaling semiconductor devices down to the sub-10nm regime. While the lithographic guidelines and thermodynamic properties of the block co-polymers ultimately dictate the pitch (typically 20nm+), for full realization of the potential within high volume manufacturing (HVM), all of the nanometer-level resolution requirements still need to be met by dry etch. This talk will summarize the current impediments faced regarding critical dimensions (CDs), line roughness, and defectivity as well as ongoing work to overcome these obstacles.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Etch developments in response to DSA challenges
- Date Crossref
- 22/02/2021
- Éditeur
- SPIE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Hitachi Global Storage Technologies (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Hitachi (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Hitachi High-Tech America Inc. (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Hitachi Ltd. (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
Hitachi Global Storage Technologies (United States), Hitachi (Japan) et Hitachi High-Tech America Inc. (United States), avec 1 autre affiliation.
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