Stripping GaN/InGaN epitaxial films and fabricating vertical GaN-based light-emitting diodes
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4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Stripping GaN/InGaN epitaxial films and fabricating vertical GaN-based light-emitting diodes
- Date Crossref
- 01/05/2021
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Institute of PhysicsUniversity of Chinese Academy of SciencesYangtze River Delta Physics Research Center (China)Songshan Lake Materials Laboratory
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
GaN-based semiconductor devices and materialsZnO doping and propertiesMetal and Thin Film Mechanics