Surrounding Gate Vertical-Channel FET with Gate Length of 40 nm using BEOL Compatible High-Thermal-Tolerance In-Al-Zn Oxide Channel
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Le résumé fourni par la source
We have demonstrated, for the first time, a surrounding gate vertical-channel FET with gate length of 40 nm by introducing back-end-of-line (BEOL) process compatible novel oxide semiconductor (OS) In-Al-Zn-O as a channel material. Fabricated FETs exhibited high scalability by excellent thermal stability (~420°C) compared to conventional In-Ga-Zn-O-channel FETs, with high mobility (12.7 cm2/Vs) characteristics. Furthermore, the vertical-channel FET also exhibited excellent reliability and stable operation without floating body effect. Endurance of over 1011 cycles was also demonstrated. Our work opens a pathway to realization of high-performance BEOL transistor for 3D-LSI applications.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Surrounding Gate Vertical-Channel FET with Gate Length of 40 nm using BEOL Compatible High-Thermal-Tolerance In-Al-Zn Oxide Channel
- Date Crossref
- 01/06/2020
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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KIOXIA Corporation (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Institute of Memory Technology Research & Development pays non établi dans la noticeStructure de recherche
KIOXIA Corporation (Japan) et Institute of Memory Technology Research & Development.
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