2018 conference-abstract

Stacked Source/Drain Electrode Structure of InGaZnO Thin-Film-Transistor for Low Contact Resistance and Suppressing Channel Shortening Effect

J. Kataoka, Nobuyoshi Saito, Tomomasa Ueda, Tetsuo Tezuka, Tomoaki Sawabe, Keiji Ikeda

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Le résumé fourni par la source

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials,Stacked Source/Drain Electrode Structure of InGaZnO Thin-Film-Transistor for Low Contact Resistance and Suppressing Channel Shortening Effect

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Le contrôle bibliographique ouvert

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Titre Crossref: Stacked Source/Drain Electrode Structure of InGaZnO Thin-Film-Transistor for Low Contact Resistance and Suppressing Channel Shortening Effect
Date Crossref: 13/09/2018
Éditeur: The Japan Society of Applied Physics
Type: proceedings-article

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Les sujets associés

Thin-Film Transistor TechnologiesZnO doping and propertiesSemiconductor materials and devices

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