Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor using Hall Effect
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Le résumé fourni par la source
Carrier mobility in an amorphous metal-oxide semiconductor (AOS) thin-film transistor (TFT) was analyzed using the Hall effect. First, an amorphous Ga-Sn-O (a-GTO) TFT and that with four electrodes arranged in a square shape are fabricated.Next, a transistor characteristic of the a-GTO TFT is measured, and field-effect mobility (μFE) is calculated. Moreover, the Hall effect of the a-GTO TFT with the four electrodes is measured using a van der Pauw method, and Hall mobility (μHall) is calculated. Finally, it is found that the dependence of μFEon the gate voltage (Vgs) is similar to that of μHall, and the carrier mobility (μ) increases as Vgs increases. In conclusion, it is suggested that μ in the AOS TFT is strongly subject to the percolation path in the channel layer.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor using Hall Effect
- Date Crossref
- 01/01/2020
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Ryukoku University High-Tech Research Center pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Nara Institute of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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FLOSFIA Inc. pays non établi dans la noticeEntreprise
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Graduate School of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
High-Tech Research Center — Ryukoku University, Nara Institute of Science and Technology et FLOSFIA Inc., avec 1 autre affiliation.
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