2018 article

Improvement of the stability under high voltage and high temperature stress by using nitrogen doped IGZO TFTs

In-Tak Cho, Jiyong Noh, Pilsang Yun, Jaeman Jang, Do‐Hyung Lee, Ju Heyuck Baeck, Seok Woo Lee, Kwon Shik Park, Soo‐Young Yoon, Jang Yeon Kwon, In‐Byeong Kang

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
1Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

Aucun DOI disponible pour le contrôle Crossref.

Où se fait cette recherche

  • LG (South Korea) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • LG Corporation pays non établi dans la notice
    Institution
  • School of Integrated Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

LG (South Korea), LG Corporation et School of Integrated Technology.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Thin-Film Transistor TechnologiesOptical Systems and Laser Technology
Consulter la publication primaire

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.