Improved crystal quality of non-polar a -plane GaN epi-layers directly grown on optimized hole-array patterned r -sapphire substrates
10Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
6Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn, cz. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The characteristics of a -plane GaN films directly grown on silicon dioxide (SiO 2 ) hole-array patterned r -sapphire substrates (HPSS) were investigated in this work.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Improved crystal quality of non-polar <i>a</i> -plane GaN epi-layers directly grown on optimized hole-array patterned <i>r</i> -sapphire substrates
- Date Crossref
- 01/01/2019
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Chinese Academy of SciencesFZU ‒ Institute of Physics of the Academy of Sciences of the Czech RepublicInstitute of PhysicsNational Laboratory for SuperconductivityUniversity of Chinese Academy of SciencesSongshan Lake Materials Laboratory
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
GaN-based semiconductor devices and materialsZnO doping and propertiesGa2O3 and related materials