Demonstration of Highly Manufacturable STT-MRAM Embedded in 28nm Logic
Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We successfully demonstrated the manufacturability of 8Mb STT-MRAM embedded in 28nm FDSOI logic platform by achieving stable functionality and robust package level reliability. Read margin were greatly improved by increasing TMR value and also reducing distribution of cell resistance using advanced MTJ stack and patterning technology. Write margin was also increased by improving the efficiency using novel integration process. Its product reliability was confirmed in package level with passing HTOL 1000 hours tests, 106endurance test, and retention test. For a wider application, we also demonstrated the feasibility of high density 128Mb STT-MRAM. Based on these results, we clearly verified the product manufacturability of embedded STT-MRAM.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Demonstration of Highly Manufacturable STT-MRAM Embedded in 28nm Logic
- Date Crossref
- 01/12/2018
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Samsung (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
R&D Center pays non établi dans la noticeInstitution
-
Foundry Business pays non établi dans la noticeInstitution
Samsung (South Korea), R&D Center et Foundry Business.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.