Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress Induced Around Trench Gate of Si Power Transistor Using Water-Immersion Raman Spectroscopy
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress Induced Around Trench Gate of Si Power Transistor Using Water-Immersion Raman Spectroscopy
- Date Crossref
- 03/05/2018
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Meiji University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Japan Society for the Promotion of Science pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Toshiba (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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School of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Meiji University, Japan Society for the Promotion of Science et Toshiba (Japan), avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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