Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Methods of both evaluation and analysis of current collapse (C/C) in GaN HEMTs are discussed. Recently, guidelines to the methods of evaluation of C/C in comparing device characteristics have been required as the increase in on-resistance resulting from C/C depends significantly on stress conditions and the applied method. Therefore, as a guideline, we propose the DC voltage stress and inductance load switching stress for the evaluation.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs
- Date Crossref
- 01/03/2018
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Toshiba (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Toshiba Corporate Manufacturing Engineering Center pays non établi dans la noticeInstitution
-
Corporate Research & Development Center pays non établi dans la noticeInstitution
Toshiba (Japan), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japan) et Toshiba Corporate Manufacturing Engineering Center, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.