Magnetoresistance effect of Ga-Sn-O film deposited using mist chemical vapor deposition
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Le résumé fourni par la source
We have evaluated magnetoresistance (MR)effect of a Ga-Sn-O (GTO) film deposited using mist chemical vapor deposition (CVD). It is found that the as-deposited film shows negative MR effect, whereas the annealed film shows positive MR effect. We assume that this phenomenon occurs because the carrier transportation shifts from the Anderson localization to band transportation as the film structure changes during the annealing.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Magnetoresistance effect of Ga-Sn-O film deposited using mist chemical vapor deposition
- Date Crossref
- 01/06/2017
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Ryukoku University Department of Electronics and Informatics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Electronics and Informatics — Ryukoku University.
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