2017 conference-paper

Scaling challenges of FinFET architecture below 40nm contacted gate pitch

Ali Razavieh, PETER M. ZEITZOFF, D.E. Brown, G. Karve, Etienne Nowak

18Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

2Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

In addition to electrostatics challenges, FinFETs scaled below CPP of 40nm will require ρC of -8×1010Ω-cm2 if performance gains are to be extended. Attainment of ρC at fully ohmic limit, and/or innovative contact structures, will be required if FinFETs are to extend performance gains below CPP of 30nm, or else a transition to a new device architecture will be required.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Scaling challenges of FinFET architecture below 40nm contacted gate pitch
Date Crossref: 01/06/2017
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

GlobalFoundries (United States) pays non établi dans la notice
Entreprise
IBM (United States) pays non établi dans la notice
Entreprise
GLOBALFOUNDRJES pays non établi dans la notice
Institution
International Business Machines Corp pays non établi dans la notice
Institution

GlobalFoundries (United States), IBM (United States) et GLOBALFOUNDRJES, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Advancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignSemiconductor materials and devicesFerroelectric and Negative Capacitance Devices

Consulter la publication primaire Ouvrir le DOI