Magnetoresistance effect of Ga-Sn-O thin-film device
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We investigate MR effect of GTO thin-film devices. It is found positive and negative MR effects. Something dramatically changes in GTO thin-film devices. Moreover, it is suggested that the GTO thin-film devices with oxygen of high concentration indicate negative MR effect. This may be due to the generation of random potential and Anderson localization with oxygen. Finally, in the case of some special condition, extremely large MR effect is obtained. Further discussion is needed to clarify the mechanism of this large MR effect.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Magnetoresistance effect of Ga-Sn-O thin-film device
- Date Crossref
- 01/06/2016
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Ryukoku University Department of Electronics and Informatics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Electronics and Informatics — Ryukoku University.
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