Characteristic evaluation of Ga-Sn-O thin film by Hall measurement
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Le résumé fourni par la source
We are researching Ga-Sn-O (GTO) thin film as a potential material for future semiconductor devices. In this study, we investigate the GTO thin film using Hall measurement. A GTO film is deposited using RF magnetron sputtering, and annealed using electric-furnace annealing in air at temperature of 350 °C. We utilize van der Pauw method of the Hall measurement with slight modification, where the Hall effect is defined as the difference with and without the magnetic field, which is a special operation to compensate a large asymmetrical characteristic of this thin film. It is found that by applying the magnetic field, the Hall voltage changes. Finally, we obtain that the carrier density is 8.4×1019cm and the carrier mobility is 1.4cm2V-1s-1.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Characteristic evaluation of Ga-Sn-O thin film by Hall measurement
- Date Crossref
- 01/06/2016
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Ryukoku University Department of Electronics and Informatics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Electronics and Informatics — Ryukoku University.
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