Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping
Rattachement africain : de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We present spatially and spectrally resolved cathodoluminescence investigations on the cross section of semipolar (112¯2) gallium nitride epitaxial layers with high background doping level. The locally varying high carrier concentration leads in emission to a free electron recombination band (FERB) governed on the high energy side by conduction band filling. For the basal plane stacking fault (BSF) of type I1, typically emitting at ≈3.41 eV in low doped GaN, we find a blue shift in emission correlated to the FERB high energy tail. This shift can be perfectly modeled and understood in a quantum well model for the BSF, taking also into account the varying doping level in the barrier region. Thus, the carrier concentration can be finally calculated either from the actual position of the I1 BSF or alternatively from the FERB-related near band edge emission.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping
- Date Crossref
- 12/05/2016
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Universität Ulm pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Ulm Institute of Quantum Matter/Semiconductor Physics Group 1 pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Universität Ulm et Institute of Quantum Matter/Semiconductor Physics Group 1 — University of Ulm.
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