High-field and thermal transport in 2D atomic layer devices
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This paper reviews our recent results of high-field electrical and thermal properties of atomically thin two-dimensional materials. We show how self-heating affects velocity saturation in suspended and supported graphene. We also demonstrate that multi-valley transport must be taken into account to describe high-field transport in MoS2. At the same time we characterized thermal properties of suspended and nanoscale graphene samples over a wide range of temperatures. We uncovered the effects of edge scattering and grain boundaries on thermal transport in graphene, and showed how the thermal conductivity varies between diffusive and ballistic heat flow limits.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- High-field and thermal transport in 2D atomic layer devices
- Date Crossref
- 05/06/2014
- Éditeur
- SPIE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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