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2014 conference-paper

High-field and thermal transport in 2D atomic layer devices

3Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

This paper reviews our recent results of high-field electrical and thermal properties of atomically thin two-dimensional materials. We show how self-heating affects velocity saturation in suspended and supported graphene. We also demonstrate that multi-valley transport must be taken into account to describe high-field transport in MoS2. At the same time we characterized thermal properties of suspended and nanoscale graphene samples over a wide range of temperatures. We uncovered the effects of edge scattering and grain boundaries on thermal transport in graphene, and showed how the thermal conductivity varies between diffusive and ballistic heat flow limits.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
High-field and thermal transport in 2D atomic layer devices
Date Crossref
05/06/2014
Éditeur
SPIE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Graphene research and applicationsThermal properties of materialsThermal Radiation and Cooling Technologies

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