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2016 article

Temperature dependent electroluminescence from all-Si-nanocrystal p-i-n diodes grown on dielectric substrates

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Rattachement africain : au. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

In this work, we demonstrate for the first time the electroluminescence (EL) from a mesa isolated p-i-n diode based on silicon nanocrystals (Si NCs) embedded in a SiO2 matrix fabricated on a dielectric substrate. The structure fabricated on a dielectric substrate ensures that the EL signal originates entirely from the Si NC material. A small offset between the EL (1.28 eV) and photoluminescence (PL) (1.33 eV) peak energies has been observed at room temperature. We attribute this discrepancy to the different subset of light-emitting Si NCs in EL and PL. A model classifying Si NCs into connected NCs and isolated NCs is proposed. Atom probe tomography is employed to visualize the existence of isolated NCs and connected NCs. This model has been further studied using temperature dependent EL and PL, where a blue-shift of peak energy is observed as the temperature is increased. The blue-shift is attributed to the temperature dependent transport between the two subsets of NCs and the quenching of the PL emission from the connected NCs at higher temperatures.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Temperature dependent electroluminescence from all-Si-nanocrystal p-i-n diodes grown on dielectric substrates
Date Crossref
11/02/2016
Éditeur
AIP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • UNSW Sydney pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • ARC Centre of Excellence in Advanced Molecular Imaging pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Australian Centre for Advanced Photovoltaics pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Albert-Ludwigs-University Freiburg 2 IMTEK pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

UNSW Sydney, ARC Centre of Excellence in Advanced Molecular Imaging et Australian Centre for Advanced Photovoltaics, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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