Optical properties of defects in nitride semiconductors
Rattachement africain : de, us, at. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Optical properties of defects in nitride semiconductors
- Date Crossref
- 23/09/2015
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Universität Ulm pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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United Monolithic Semiconductors (Germany) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Kempten University of Applied Sciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Palo Alto Research Center pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Karlsruhe Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Grieshaber (Germany) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Johannes Kepler University of Linz pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Ulm Institute of Quantum Matter pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Richter lighting technologies GmbH pays non établi dans la noticeEntreprise
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UMS GmbH pays non établi dans la noticeEntreprise
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Otto von Guericke University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Universität Ulm, United Monolithic Semiconductors (Germany) et Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, avec 9 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.