Viewing Asperity Behavior under the Wafer during CMP
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Recent experimental advances using dual emission laser induced fluorescence and image processing have provided high spatial and temporal resolution maps of the slurry layer during chemical mechanical polishing (CMP). Intensity differences in the images correspond to fluid layer thickness variations as the slurry passes between different pad and wafer topographies. Asperities expand under 14 μm deep wells and are compressed beyond the trailing edge of the wells. Air pockets travel from the leading to the trailing edge of the wafer through 27 μm deep wells. The pads tested were Freudenberg FX9, Rodel IC1000, and experimental pads from Cabot Microelectronics.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Viewing Asperity Behavior under the Wafer during CMP
- Date Crossref
- 01/05/2005
- Éditeur
- The Electrochemical Society
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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