A Positron Annihilation Study of Compensation Defects Responsible for Conduction- Type Conversions in LEC-Grown InP
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A Positron Annihilation Study of Compensation Defects Responsible for Conduction- Type Conversions in LEC-Grown InP
- Date Crossref
- 02/04/2001
- Éditeur
- Trans Tech Publications, Ltd.
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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University of Hong Kong pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sichuan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hebei Semiconductor Research Institute pays non établi dans la noticeStructure de recherche
University of Hong Kong, Sichuan University et Hebei Semiconductor Research Institute.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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