2009 article

Modeling and Analysis of Parasitic Resistance in Double-Gate FinFETs

Daniel G. Tekleab, Sri Samavedam, PETER M. ZEITZOFF

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Le résumé fourni par la source

A comprehensive model is presented to analyze the three-dimensional (3-D) source-drain (S/D) resistance of undoped double-gated FinFETs of wide and narrow S/D width. The model incorporates the contribution of spreading, sheet, and contact resistances. The spreading resistance is modeled using a standard two-dimensional (2-D) model generalized to 3-D. The contact resistance is modeled by generalizing the one-dimensional (1-D) transmission line model to 2-D and 3-D with appropriate boundary conditions. The model is compared with the S/D resistance determined from 3-D device simulations and experimental data. We show excellent agreement between our model, the simulations, and experimental data.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Modeling and Analysis of Parasitic Resistance in Double-Gate FinFETs
Date Crossref: 01/10/2009
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type: journal-article

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Où se fait cette recherche

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IBM (United States), Toshiba (Japan) et Toshiba (United States), avec 4 autres affiliations.

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