Fully integrated 54nm STT-RAM with the smallest bit cell dimension for high density memory application
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A compact STT(Spin-Transfer Torque)-RAM with a 14F2cell was integrated using modified DRAM processes at the 54nm technology node. The basic switching performance (R-H and R-V) of the MTJs and current drivability of the access transistors were characterized at the single bit cell level. Through the direct access capability and normal chip operation in our STT-RAM test blocks, the switching behavior of bit cell arrays was also analyzed statistically. From this data and from the scaling trend of STT-RAM, we estimate that the unit cell dimension below 30nm can be smaller than 8F2.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Fully integrated 54nm STT-RAM with the smallest bit cell dimension for high density memory application
- Date Crossref
- 01/12/2010
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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