2002 conference-paper

A 0.13 μm CMOS platform with Cu/low-k interconnects for system on chip applications

T. Schiml, S. Biesemans, G. Brase, Lloyd G. Burrell, Adam Cowley, K.C. Chen, A. Von Ehrenwall, Birgit von Ehrenwall, P. Felsner, Jason Gill, F. Grellner, Fernando J. Guarin, Mark Hoinkis, E. Hsiung, Erdem Kaltalioglu, P. Kim, Gerhard Knoblinger, S. Kulkarni, Alan Leslie, Tobias Mono, T. Schafbauer, Uwe Paul Schroeder, Klaus Schruefer, Terry A. Spooner, Dennis J. Warner, Cindy Wang, Robert Wong, E. Demm, Pak Sing Leung

53Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

3Institutions déclarées

2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We describe an advanced 0.13 /spl mu/m CMOS technology platform optimized for density, performance, low power and analog/mixed signal applications. Up to 8 levels of copper interconnect with the industry's first true low-k dielectric (SiLK, k=2.7) (Goldblatt et al., 2000) result in superior interconnect performance at aggressive pitches. A 2.28 /spl mu/m/sup 2/ SRAM cell is manufactured with high yield by introducing elongated local interconnects on the contact level without increasing process complexity. Trench based embedded DRAM is offered for large area memory. Modular analog devices as well as passive components like resistors, MIM capacitors and intrinsic inductors are integrated.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: A 0.13 μm CMOS platform with Cu/low-k interconnects for system on chip applications
Date Crossref: 13/11/2002
Éditeur: Japan Soc. Appl. Phys
Type: proceedings-article

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Où se fait cette recherche

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IBM (United States), Infineon Technologies (United States) et Infineon Technologies (Germany), avec 3 autres affiliations.

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