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2002 article

Progress in Epitaxial Oxides on Semiconductors

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2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Progress in Epitaxial Oxides on Semiconductors
Date Crossref
01/01/2002
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Motorola (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Physical Sciences (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Physical Sciences Research Laboratories pays non établi dans la notice
    Institution

Motorola (United States), Physical Sciences (United States) et Physical Sciences Research Laboratories.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Semiconductor materials and devicesElectronic and Structural Properties of OxidesFerroelectric and Negative Capacitance Devices

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