2005 conference-paper

Vertex channel array transistor (VCAT) featuring sub-60nm high performance and highly manufacturable trench capacitor DRAM

Masahiro Kito, Ryoichi Katsumata, Masaki Kondo, Shoko Ito, Kazuto Miyano, M. Kido, H. Yasutake, Yoshihiko NAGATA, Nozomi Aoki, H. Aochi, Akihiro Nitayama

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Le résumé fourni par la source

Novel vertex channel array transistor (VCAT) fabricated on bulk silicon substrate is applied to trench capacitor DRAM cell for the first time. VCAT utilizes the vertexes as channel between top surface and (111) facet of selective epitaxial Si on active areas. It can be fabricated with much simpler process than FIN array transistor reported previously and fit to the process integration of trench capacitor DRAM cell. Almost 2 times higher on-current, smaller sub-threshold swing and less body effect than a conventional planar array transistor are demonstrated.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Vertex channel array transistor (VCAT) featuring sub-60nm high performance and highly manufacturable trench capacitor DRAM
Date Crossref: 27/07/2005
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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Où se fait cette recherche

Toshiba (Japan) pays non établi dans la notice
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Toshiba (South Korea) pays non établi dans la notice
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Toshiba Corporation Semiconductor Company SoC Research & Development Center and Process & Manufacturing Engineering Center pays non établi dans la notice
Entreprise
[SoC R&D Center pays non établi dans la notice
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Toshiba Information Systems Corporation pays non établi dans la notice
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Process and Manufacturing Engineering Center pays non établi dans la notice
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Center for Innovative Integrated Electronic Systems (CIES) pays non établi dans la notice
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Toshiba (Japan), Toshiba (South Korea) et SoC Research & Development Center and Process & Manufacturing Engineering Center — Toshiba Corporation Semiconductor Company, avec 4 autres affiliations.

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