Aller au contenu principal
2011 article

Highly Reliable Ohmic Contacts to N-Polar n-Type GaN for High-Power Vertical Light-Emitting Diodes

6Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We report on the formation of highly reliable Ti/Al-based Ohmic contacts to N-polar n-GaN for vertical light-emitting diodes via laser-annealing. All as-deposited samples are Ohmic with specific contact resistances of 1.1 - 4.3 × 10-4Ω cm2. After annealing at 250°C, unlike the untreated sample, the laser-annealed samples remain Ohmic with specific contact resistances of 2.6- 3.9 × 10-4Ω cm2. The laser-annealed samples remain electrically stable up to 60 min at 300°C. Laser-annealing causes the formation of interfacial TiN/β -AlN phases with rock salt structure. Based on X-ray photoemission spectroscopy and scanning transmission electron microscopy results, possible Ohmic mechanisms are described.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Highly Reliable Ohmic Contacts to N-Polar n-Type GaN for High-Power Vertical Light-Emitting Diodes
Date Crossref
01/12/2011
Éditeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Korea University Department of Materials Science and Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Korea Innotech (South Korea) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Department of LED Business pays non établi dans la notice
    Institution
  • Dept. of LED Bus. pays non établi dans la notice
    Institution

Department of Materials Science and Engineering — Korea University, Korea Innotech (South Korea) et Department of LED Business, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

GaN-based semiconductor devices and materialsMetal and Thin Film MechanicsSemiconductor materials and devices

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.