2011 conference-paper

Latest Advances and Roadmap for In-Plane and Perpendicular STT-RAM

A. Driskill-Smith, Dmytro Apalkov, V. Nikitin, X. Tang, Steven Watts, D. K. Lottis, Kibong Moon, A. V. Khvalkovskiy, Roland Kawakami, X. Luo, A. Ong, E. Chen, M. Krounbi

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Le résumé fourni par la source

STT-RAM (Spin-Transfer Torque Random Access Memory) is a second-generation magnetic random access memory (MRAM) technology that is fast, non-volatile, durable, and scalable to future technology nodes [1-2]. In this paper, we present the latest advances in in-plane and perpendicular STT-RAM development and outline STT-RAM's future prospects, applications and roadmap.

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Titre Crossref: Latest Advances and Roadmap for In-Plane and Perpendicular STT-RAM
Date Crossref: 01/05/2011
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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