Modeling and Optimization of the Deposition of Shape Memory Polymers for Information Storage Applications
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Shape memory polymers are of interest as high-capacity information storage media. This paper seeks to understand the effects of processing conditions on diethylene glycol dimethacrylate (DEGDMA) and bisphenol A ethoxylate dimethacrylate. Full factorial experiments are performed to characterize the impact of the following parameters: spin speed, spin time, and nitrogen flow rate. A total of ten experiments are conducted. The measured responses are film thickness, uniformity, hardness and modulus. Analysis of variance reveals the above input parameters are significant with respect to the output responses. The full factorial experiment is augmented by a central composite face centered (CCF) design to facilitate process modeling. Neural network models are developed to examine relationships. The average predictability of the models is better than 2% for training and less than 15% in testing. Genetic algorithms are used in optimizing recipes for the two materials.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Modeling and Optimization of the Deposition of Shape Memory Polymers for Information Storage Applications
- Date Crossref
- 01/08/2009
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
IBM (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Advanced Plasma Etch Development pays non établi dans la noticeInstitution
-
School of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
School of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Georgia Institute of Technology, IBM (United States) et Advanced Plasma Etch Development, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.