Photoconductivity in LPE GaP:Cu
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The photoconductive properties of copper doped LPE GaP have been investigated. The photoresponse of as-grown surfaces extends from 2.2 to 5.0 eV. Photoconductive gains as high as 105have been measured. The photoconductive response time to low levels of illumination is typically a few milliseconds and the spatial uniformity of the photosignal is less than 10% over distances of 3 mm. The photomechanism has been investigated by optical quenching and by study of the variation in photosignal with photon flux. These data are interpretable with the sensitized photoconductivity model.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Photoconductivity in LPE GaP:Cu
- Date Crossref
- 01/01/1977
- Éditeur
- IRE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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