Random Telegraph Noise in n-type and p-type silicon nanowire transistors
Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We studied random telegraph noise (RTN) of n-type and p-type silicon nanowire transistors (SNWT) for the first time and derived accurate vertical and lateral trap location equations in nanowire structure. Using the derived equations, accurate trap locations were extracted in the devices with single trap as well as multiple traps.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Random Telegraph Noise in n-type and p-type silicon nanowire transistors
- Date Crossref
- 01/12/2008
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Seoul National University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Samsung (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and School of Electrical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sch. of Electr. Eng pays non établi dans la noticeInstitution
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Samsung Electronics Company Limited Research & Development Center pays non établi dans la noticeEntreprise
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Adv. Technol. Dev. Team 1 pays non établi dans la noticeInstitution
Seoul National University, Samsung (South Korea) et Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and School of Electrical Engineering, avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.