Formation of Recessed-Oxide Gate for Normally-Off AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Selective Electrochemical Oxidation
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Le résumé fourni par la source
A selective electrochemical oxidation has been applied to the AlGaN surface to fabricate a recessed-oxide-gate structure for normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs). We observed bias-dependent oxidation current characteristics peculiar to the AlGaN/GaN heterostructure. A flat interface between the oxide and AlGaN was confirmed by cross-sectional transmission electron microscopy. The selective formation of the recessed oxide allowed the local depletion of two-dimensional electron gas at the AlGaN/GaN interface and thus the achievement of normally-off operation. The recessed-oxide-gate HEMT with the oxide thickness of 20 nm showed good gate control of drain current with the threshold voltage of +1.2 V.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Formation of Recessed-Oxide Gate for Normally-Off AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Selective Electrochemical Oxidation
- Date Crossref
- 04/02/2011
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Hokkaido University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Japan Science and Technology Agency CREST pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Graduate School of Information and Science Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Hokkaido University, CREST — Japan Science and Technology Agency et Graduate School of Information and Science Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE).
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