Application of positron annihilation lifetime technique to the study of deep level transients in semiconductors
Rattachement africain : hk. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Unlike its conventional applications in lattice defect characterization, positron annihilation lifetime technique was applied to study temperature-dependent deep level transients in semiconductors. Defect levels in the band gap can be determined as they are determined by conventional deep level transient spectroscopy (DLTS) studies. The promising advantage of this application of positron annihilation over the conventional DLTS is that it could further extract extra microstructure information of deep-level defects, such as whether a deep level defect is vacancy related or not. A demonstration of EL2 defect level transient study in GaAs was shown and the EL2 level of 0.82±0.02 eV was obtained by a standard Arrhenius analysis, similar to that in conventional DLTS studies.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Application of positron annihilation lifetime technique to the study of deep level transients in semiconductors
- Date Crossref
- 15/03/2002
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
University of Hong Kong Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Physics — University of Hong Kong.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.