High-efficiency multijunction solar cells employing dilute nitrides
Le résumé fourni par la source
Solar Junction has developed a set of dilute nitride compound semiconductors with antimony that offer tunable absorption between the GaAs and Ge bandedges, while retaining lattice matching to GaAs or Ge substrates. By replacing the Ge junction in a conventional triple junction solar cell with a GaInNAsSb junction, world record cell efficiencies of 43.5% have been achieved, and CPV module efficiencies (DC) exceeding 35% may now be possible in the near future.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- High-efficiency multijunction solar cells employing dilute nitrides
- Date Crossref
- 01/01/2012
- Éditeur
- AIP
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.