A 130.7-$\hbox{mm}^{2}$ 2-Layer 32-Gb ReRAM Memory Device in 24-nm Technology
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A 32-Gb ReRAM test chip has been developed in a 24-nm process, with a diode as the selection device and metal oxide as the switching element. The memory array is constructed with cross-point architecture to allow multiple memory layers stacked above the supporting circuitry and minimize the circuit area overhead. Die efficiency is further improved by sharing wordlines and bitlines between adjacent blocks. As the number of sense amplifiers under the memory array is limited, a pipelined array control scheme is adopted to compensate the performance impact while utilizing the fast switching time of ReRAM cells. With the chip current consumption being dominated by the array leakage and sensitive to array bias and operating conditions, a charge pump stage control scheme is introduced to dynamically adapt to the operating conditions for optimal power consumption. Smart Read during sensing and leakage current compensation scheme during programming are applied to the large-block architecture and achieve a chip density that is several orders of magnitude higher than prior ReRAM developments.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A 130.7-$\hbox{mm}^{2}$ 2-Layer 32-Gb ReRAM Memory Device in 24-nm Technology
- Date Crossref
- 01/01/2014
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Toshiba (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Sanden (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Yokkaichi University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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SanDisk Corporation pays non établi dans la noticeInstitution
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Toshiba Corporation pays non établi dans la noticeInstitution
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SanDisk Corp. pays non établi dans la noticeInstitution
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Toshiba Corp. pays non établi dans la noticeInstitution
Toshiba (Japan), Sanden (Japan) et Yokkaichi University, avec 4 autres affiliations.
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