Optimizing n-type contact design and chip size for high-performance indium gallium nitride/gallium nitride-based thin-film vertical light-emitting diode
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Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Optimizing n-type contact design and chip size for high-performance indium gallium nitride/gallium nitride-based thin-film vertical light-emitting diode
- Date Crossref
- 01/03/2015
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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