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Accès ouvert déclaré 2012 article

DC-DC converters in 0.35μm CMOS technology

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6Institutions déclarées
4Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : ch, us, cl, it. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

In view of the upgrade of the LHC experiments, we are developing custom DC/DC converters for a more efficient power distribution scheme. A new prototype have been integrated in ASICs in the selected 0.35μm commercial high voltage technology that has been successfully tested for all radiation effects: TID, displacement damage and Single Event Burnout. This converter has been optimized for high efficiency and improved radiation tolerance. Amongst the new features the most relevant are the presence of internal linear regulators, protection circuits with a state-machine and a new pinout for a modified assembly in package in order to reduce conductive losses. This paper illustrates the design of the prototype followed by functional and radiation tests.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
DC-DC converters in 0.35μm CMOS technology
Date Crossref
19/01/2012
Éditeur
IOP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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