2008 article

Phase-change random access memory: A scalable technology

Simone Raoux, Geoffrey W. Burr, M. Breitwisch, Charles T. Rettner, Y.-C. Chen, Robert M. Shelby, Martin Salinga, Daniel Krebs, S.-H. Chen, H.L. Lung, C. Lam

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4Institutions déclarées

3Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, tw, de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Nonvolatile RAM using resistance contrast in phase-change materials [or phase-change RAM (PCRAM)] is a promising technology for future storage-class memory. However, such a technology can succeed only if it can scale smaller in size, given the increasingly tiny memory cells that are projected for future technology nodes (i.e., generations). We first discuss the critical aspects that may affect the scaling of PCRAM, including materials properties, power consumption during programming and read operations, thermal cross-talk between memory cells, and failure mechanisms. We then discuss experiments that directly address the scaling properties of the phase-change materials themselves, including studies of phase transitions in both nanoparticles and ultrathin films as a function of particle size and film thickness. This work in materials directly motivated the successful creation of a series of prototype PCRAM devices, which have been fabricated and tested at phase-change material cross-sections with extremely small dimensions as low as 3 nm × 20 nm. These device measurements provide a clear demonstration of the excellent scaling potential offered by this technology, and they are also consistent with the scaling behavior predicted by extensive device simulations. Finally, we discuss issues of device integration and cell design, manufacturability, and reliability.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Phase-change random access memory: A scalable technology
Date Crossref: 01/07/2008
Éditeur: IBM
Type: journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

IBM Research - Almaden pays non établi dans la notice
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IBM Research - Thomas J. Watson Research Center pays non établi dans la notice
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Macronix International (Taiwan) pays non établi dans la notice
Entreprise
RWTH Aachen University pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
IBM Almaden Research Center IBM/Qimonda/Macronix PCRAM Joint Project pays non établi dans la notice
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IBM Thomas J. Watson Research Center IBM/Qimonda/Macronix PCRAM Joint Project pays non établi dans la notice
Structure de recherche
Emerging Central Lab/Macronix International Company Ltd Advanced Memory Research Department (ME130) pays non établi dans la notice
Entreprise
Physikalisches Institut 1A pays non établi dans la notice
Structure de recherche
Macronix International Company Ltd. IBM/Qimonda/Macronix PCRAM Joint Project pays non établi dans la notice
Entreprise
IBM Thomas J.Watson Research Center pays non établi dans la notice
Structure de recherche

IBM Research - Almaden, IBM Research - Thomas J. Watson Research Center et Macronix International (Taiwan), avec 7 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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