Properties and ion implantation of AlxGa1−xN epitaxial single crystal films prepared by low pressure metalorganic chemical vapor deposition
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Le résumé fourni par la source
High quality single crystal films of AlxGa1−xN have been grown on sapphire substrates using low pressure metalorganic chemical vapor deposition at 915 °C over the entire range of x. Electrical and optical properties of the layers were measured. Electrical compensation by Be+ and N+ implants in the layers was studied. Schottky barriers were fabricated and their current voltage characteristics were studied. We also report some initial results of a study of GaN growth kinetics.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Properties and ion implantation of Al<i>x</i>Ga1−<i>x</i>N epitaxial single crystal films prepared by low pressure metalorganic chemical vapor deposition
- Date Crossref
- 01/09/1983
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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