2010 conference-paper

Novel stress-memorization-technology (SMT) for high electron mobility enhancement of gate last high-k/metal gate devices

Kwan-Yong Lim, Hyun‐Jung Lee, Choongryul Ryu, Kang-Ill Seo, Uihui Kwon, Seokhoon Kim, Jongwan Choi, Kyungseok Oh, Hee-Kyung Jeon, Chulgi Song, Tae-Ouk Kwon, J. Cho, Seunghun Lee, Yangsoo Sohn, Hong Sik Yoon, J.M. Park, Kwanheum Lee, Wookje Kim, Eunha Lee, Sang-Pil Sim, Chung Geun Koh, Sang Bom Kang, Si‐Young Choi, Chilhee Chung

33Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

2Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

High-k/metal gate (HKMG) compatible high performance Source/Drain (S/D) stress-memorization-technology (SMT) is presented. Channel stress generated by SMT can be simulated by using mask-edge dislocation model, which is consistent with the measured actual channel stress. Extremely deep pre-amorphization-implant (PAI) for SMT creates multiple mask-edge dislocations under S/D region, which enhances short-channel mobility by 40~60%. Finally, more than 10% short channel drive current gain is achieved with additional S/D extension optimization.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Novel stress-memorization-technology (SMT) for high electron mobility enhancement of gate last high-k/metal gate devices
Date Crossref: 01/12/2010
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Samsung (South Korea) pays non établi dans la notice
Entreprise
Samsung Electronics (South Korea) pays non établi dans la notice
Entreprise
Samsung Electronics Company Limited Semiconductor Research and Development Center pays non établi dans la notice
Entreprise
Gyeonggi-do 445-701 Korea Hwasung-si pays non établi dans la notice
Organisation à but non lucratif
Advanced Institute of Technology pays non établi dans la notice
Structure de recherche

Samsung (South Korea), Samsung Electronics (South Korea) et Semiconductor Research and Development Center — Samsung Electronics Company Limited, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Semiconductor materials and devicesAdvanced Materials Characterization TechniquesMetal and Thin Film Mechanics

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